Arama Sonuçlarını Sınırlandır
Yazar
Dil
Yayın Yılı
-
Konu
Materyal Türü
Shelf Location
Kütüphane
Liste görünümüne geç
Küçük resim görünümüne geç
Eylem Seç
2 sonuç bulundu Arama sonuçlarına abone ol
00DEFAULT_TR
Yazdır
1. 
SiGe and Si strained-layer epitaxy for silicon heterostructure devices için kapak resmi
SiGe and Si strained-layer epitaxy for silicon heterostructure devices
Yazar 
Cressler, John D.
Yer Numarası 
TK7871.96 .B55 S53 2008
Elektronik Erişim 
Click here to view.
Format: 
Durum 
Çevrimiçi Kütüphane~1
Rafta:
Kopya:
2. 
Process Technology for Silicon Carbide Devices için kapak resmi
Process Technology for Silicon Carbide Devices
Yazar 
Zetterling, Carl-Mikael, ed.
Yer Numarası 
ONLINE
Elektronik Erişim 
http://dx.doi.org/10.1049/PBEP002E
Format: 
Durum 
Çevrimiçi Kütüphane~1
Rafta:
Kopya: